中国近期率先给三大运营商发放了TD-LTE牌照，业界预计政府将在明年发给中国电信和中国联通FDD牌照，融合组网将是必然的发展趋势。此前数据显示，全球已经有11个FDD+TDD商用部署，FDD+TDD融合组网正变得越来越普遍。融合组网成功商用的关键和难题就在融合终端，而融合终端离不开融合芯片。

多厂家推出融合终端芯片

此前，中国移动多次强调，TDD/FDD混合组网、支持5模10频、5模12频及Band 41是中国移动发展LTE智能终端的重点。中国移动总裁李跃曾表示，中国移动将引领各界将TD-LTE与LTE FDD从标准到产业进行融合，其中包括网络融合以及终端融合，使得LTE能够成为全球漫游精品网络。

早在2012年年初，中国移动在国际上力推TD-LTE与LTE FDD融合的时候，高通的MSM8960和海思的Balong710两款多模终端芯片产品就被中国移动重点展示。两款芯片都支持TD-LTE、LTE FDD、3G、2G等多种通信制式。

然而许多芯片厂商并没有抓住这个市场的需求，所以在2013年年中的中国移动4G终端招标中，高通全面占优，正是在“高集成”和“单芯片”等方面具有优势。

据了解， Qualcomm从第一代LTE产品开始，其所有LTE芯片组均同时支持LTE FDD和LTE TDD，并已推出其第三代Gobi LTE/3G多模调制解调，支持LTE增强型(LTE版本10)和HSPA+版本10，同时支持FDD和TDD。

目前，多家领先芯片企业已经在宣布推出LTE支持FDD和TDD的芯片组。按照GSA给出的截至今年7月的报告，全球已有超过17家芯片厂家已推出或正在研发LTE TDD/FDD融合多模芯片。

芯片的成熟推动融合终端的发展。据统计，目前全球已有近百款终端同时支持LTE FDD和TDD，在LTE的后续发展中，FDD/TDD的融合前景日渐广阔。

国产芯片厂商还需努力

在2G时代，我国终端芯片产业非常薄弱，经过TD-SCDMA产业发展的培育以及3G市场竞争的历练，我国终端芯片产业逐步发展壮大，出现以联芯科技、展讯通信、海思、中星微电子等企业为代表的一批高水平终端芯片开发企业，并在市场竞争中取得了一席之地。

面对LTE产业发展机遇，我国企业从TD-LTE技术发展之初就开始大力投入TD-LTE芯片的研发工作，在中国移动的大力支持和带动下，不断取得技术突破，有力支撑了我国TD-LTE产业的发展。

然而，未来商用的LTE终端芯片趋向多模，需要支持和兼容更多的移动通信制式。这对我国终端芯片开发企业而言是一个严峻的挑战，因为我国芯片企业大多在TD-LTE领域优势明显，但在FDD LTE制式方面存在短板。