在科通芯城执行副总裁朱继志看来，经过多年的发展，产业链发展逐渐成熟，中国终端制造会带动上游芯片厂商向上发展。

数据卡先、手机终端后

“目前国内厂家在TD-LTE里面的发言权还很弱，在标准的制定，专利的拥有上面很少。”顾文军告诉记者。

从国内芯片厂商市场出货量来看，目前最大的是展讯，其次是联发科，其他厂商的出货量很少，甚至可以忽略不计。而从展讯和联发科来看，这两个厂商仍然将主要精力放在TD-SCDMA上，并非TD-LTE。因此，对于国产芯片厂商来说，保守的策略是目前面对市场的唯一方式。

对此，任燕解释称，从技术投入方面来看，展讯和联发科的策略一直是重点放在成熟市场，所以TD-LTE多模芯片对这两家来说是2014年的事情。

从终端层面来看，目前国产TD-LTE芯片技术成熟度与国际品牌有较大差距，主要是华为、展讯等少数厂家。顾文军表示，在这个领域，目前国内芯片几乎没有和高通竞争的实力。可以看到的是，做4G基带芯片的创毅视讯因为其收入下降原因，今年中止了在创业板的IPO审查。

因此，虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和知识产权，以及技术优势，但是由于TD-LTE应该是多模标准，而中国企业在WCDMA和LTE领域几乎没有专利和技术积累，这导致在竞争中中国厂商的发展将受到很大制约。

所以无论是技术成熟度，还是中国移动发展的重点，芯片厂商都选择了对TD-LTE优先发展数据卡，然后才发展智能终端。

对此，中兴方面亦回复记者称，“2013年TD-LTE终端主要以MiFi为主，CPE与数据卡辅助，下半年LTE单卡双待手机需求将会增加，LTE CSFB手机处于实验阶段。”

具体来说，智能终端的TD-LTE多模芯片工艺要求为28纳米，而国产厂商创毅视讯、联芯科技等厂商仍停留40纳米。因此，除了已有商用产品发布的华为海思和中兴微电子外，其他基本用于数据卡。这是因为数据卡主要用于Wi-Fi环境下的数据传输，对整个运算和芯片设计的技术要求低一点，而手机最低也要达到28纳米。

联芯科技总经理助理刘先军表示，对于TD-LTE芯片市场来说，在产业发展初期，基于40纳米工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，LTE芯片将逐渐向28纳米演进，以提供更佳的用户体验。

正因为如此，“80%的智能终端上市新品采用的芯片还是高通，而华为和中兴的TD-LTE手机使用的是自己的芯片。”任燕称，“这是产业和政策决定的。”

此前，利用海思的芯片，华为曾推出了一款TD-LTE手机Ascend D2，主要用于中国移动试商用网络。而中兴也利用中兴微电子的芯片推出了一款智能终端产品Grand Era LTE，用于中国移动在中国香港市场，后者已宣布TD-LTE网络正式投入商用。

不过，也有另一种声音认为，工艺并不是制约芯片厂商发展的因素。朱继志表示，追求工艺会导致企业承担更大的风险。

朱继志称，“因为数据卡的门槛低，可靠性、功耗等没有手机那么复杂。”所以芯片厂商的产品研发出来后，通过切入数据卡市场，既可以解决前期找客户难的问题，也可以通过与客户的配合，解决产品自身问题和适应市场变化。

下一步：多模多频高集成

虽然Strategy Analytics手机芯片高级分析师 Sravan Kundojjala称，在2012年意法爱立信在TD-SCDMA市场仅占约3%的市场份额，其离开对市场影响不大，但是意法·爱立信的解体，让业内发现芯片领域的洗牌已经开始，这对中国厂商来说或许是另一种机遇。