北京时间7月10日消息，据科技博客electronista报道，ARM的一份公司声明中称，其移动处理器的时钟速度将会在2014年增至3GHz。目前，ARM在2013年高端芯片设计是基于28纳米工艺。而类似于高通Snapdragon 800和Nvidia Tegra 4i这样的芯片偶采用了ARM的设计，基于28纳米工艺，时钟速度也在2.3GHz封顶。
在2014年，台湾积体电路制造公司（简称台积电）以及半导体制造企业GlobalFoundaries计划采用20纳米工艺，开创新的3GHz芯片的时代。此外，下一代移动处理器将能比现有的芯片提高30%的时钟速度，但在转换为20纳米工艺的同时也会因内部效率而损失掉25%的速度。
然而，ARM预见到，这种额外的转换损失主要来自于图形处理的性能。ARM的佛德阿巴索伟科（Fuad Abazovic）表示：“这个25%的能量消耗能够转换成下一代SoCs（system on chips，系统单芯片）的25%的额外电池寿命。由于电池寿命较短一直是智能手机常备抱怨的问题，消费者应该可以期待20纳米技术带来的转变。”
