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高通:多模LTE芯片助力TD-LTE全球化发展
http://www.cww.net.cn   2013年12月4日 19:40    

通信世界网讯(CWW) 美国高通技术公司产品市场副总裁颜辰巍表示,高通正通过持续的与中国的运营商和中国的手机厂商合作,保证4G牌照发了以后,能尽快把LTE技术带给消费者。

日前,高通刚刚宣布的第四代3G/LTE多模芯片,将芯片技术升级到了最高300Mbps的LTE CAT 6,支持40MHz的载波聚合技术。颜辰巍称,对于Qualcomm来讲,我们每年投入巨大的研发费用,最终希望能够看到的就是这些新的产品尽快地展现在消费者手里。

据了解,2009年Qualcomm推出了集成MDM8x25的骁龙MSM8660芯片,支持多模连接,这代产品一直到去年还有商用产品在市场上;到2010年,Qualcomm第一代LTE多模芯片上市,同时支持TDD、FDD,并向后兼容,帮助北美和欧洲的运营商完成4G网络覆盖和商用产品上市;到2012年,第二代LTE产品上市,支持CAT 3,达到最高100Mbps的速率;再到2013年,高通推出了第三代3G/LTE多模芯片产品,把LTE的速率提升到了150Mbps,这也是首个商用的20MHz带宽载波聚合的技术。到目前为止,全球已经有超过1000款采用Qualcomm芯片的LTE终端,包括已经商用的产品和正在研发中的,这个数字从2012年到2013年增长了380%。

对于中国来说,Qualcomm的芯片通过基带和RF芯片的组合,能做出同时满足中国三大运营商需求的产品,支持所有2G/3G/4G不同制式,不同频段,这大大提升了终端对于网络的适应能力,简化终端厂商研发过程。

同时,通过采用多模多频芯片将为终端在国内、国际漫游提供了可能。用户可以在TD-LTE或者LTE FDD网络中使用手机,在没有4G的地方也可以通过2G、3G网络来实现通信。这满足了用户在全球各地进行通信的需求。

美国高通技术公司产品市场副总裁颜辰巍(张海龙)通信世界网

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来源:通信世界网   作 者:张海龙编 辑:张海龙
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