通信世界网(CWW)讯 1月7日，意法·爱立信在全球最大规模的消费电子展上，宣布推出全球最快、最低功耗的高集成LTE智能手机平台。NovaThor L8580 ModAp是一款支持LTE多模的智能手机平台，它整合了全套的无线连接（connectivity）功能，并且拥有速率可达2.5GHz的eQuad应用处理器。NovaThor L8580将在2013年的一季度提供样片。
意法·爱立信总裁兼CEO Didier Lamouche表示：“在意法·爱立信我们专注于为当今的智能手机用户提供最好的体验。我们选择在最能为用户带来实实在在的好处和便利的方面开展创新，通过eQuad技术，我们显著加快应用软件的运行速度，而且同时还能保证智能终端超低功耗运行，从而让终端在运行时的发热减少，并具有更长的续航时间。新推出的NovaThor L8580其系统架构，建立在我们于去年推出的第一代NovaThor L8540 LTE ModAp平台基础上，我们认为我们的新平台代表了一个真正的业界突破。它采用了当前可用的最先进的技术，包括意法半导体创新的28nm FD-SOI制程技术，从而在一款先进的高集成LTE ModAp平台平台上，带来非常卓越的性能和无可比拟的优异功耗。”
NovaThor L8580集成了基于ARM Cortex-A9的eQuad 2.5GHz处理器、运行在600MHz的Imagination强大的图形处理器PowerVRTMSGX544、以及先进的LTE多模modem，集成在一颗28nm的采用FD-SOI制程的芯片中。
基于NovaThor L8540的设计，NovaThor L8580突出了FD-SOI技术的优势并结合创新的技术在增强性能的同时保持低功耗。对于最终用户而言，NovaThor L8580的优势包括：CPU运行速度提升35%，图形处理器（GPU）和多媒体加速器运行速度提升20%。低温运行的状态下带来高性能，与竞品系统架构设计相比，功耗减少25% 低功耗模式下，运行在0.6V电压下能够带来5000DMIPS的处理能力—完全胜任日常使用的大部分应用的计算处理能力。在提供同等性能的情况下，该低功耗模式所消耗的功耗比采用bulk CMOS技术的方案少50%。
Lamouche表示：“正如我们在10个月前所承诺的那样，意法·爱立信正在演示FD-SOI技术为移动市场所带来的突破性。FD-SOI、超薄有源层和隔离层(ultra thin active and isolation layers)、带来智能体偏压(smart body biasing)的创新双栅垂直晶体管(double-gate vertical transistors)，所有这些核心技术的创新组合，为移动市场对高性能、超低功耗以及技术稳健性需求的呼声，做出了最好的回应。我们看到NovaThor L8580所带来的性能表现，证实了FD-SOI技术的突破性，这让下一代高性能LTE平台，能够充分的从我们突破性的技术和设计中，获得确确实实的好处。”
NovaThor L8580在一个灵活紧凑的射频方案下，可支持多达10个LTE/HSPA/TD-SCDMA/GSM频段，从而为LTE智能手机在全球的广泛普及，提供具备高成本效益的解决方案。NovaThor L8580整合了一个先进的下一代LTE多模modem，它支持3GPP Release 10版本，LTE速率支持Category 4（150Mbps）。
