从以上干扰分析中我们不难看出，杂散干扰对系统组网没有影响，因此如何提升TD设备抗阻塞性能、在F频段建设TD-LTE网络，重点在于如何解决现网设备的抗阻塞问题。为规避后续阻塞干扰问题的发生，大唐移动积极配合中国移动通信研究院进行相关研究，并提出了设备性能提升改进的方案。
目前中移动对TDD主设备抗阻塞性能指标要求如下：
◎ 对于TDD新设备，中移动集团研究院拟定要求5M过渡带达到-5dBm的阻塞，10M过渡带达到0dBm的阻塞要求；
对于TDD新设备，中移动集对于TD-LTE及TD-SCDMA现网产品，中移动集团研究院拟定要求10M过渡带达到-10dBm的阻塞要求。
对于TD五期扩容工程及以前的设备，由于集采招标设备规范没有对DCS频段1850MHz以上频率提出共存共址抗阻塞性能的要求，因此中国移动前期基站设计过程中，针对1850MHz以上频率主要是作为过渡带考虑的，但是大唐移动实际产品器件在选型中留有一定设计余量，因此可考虑通过软件调整参数配置方案提升F频段的阻塞指标。
大唐移动采用调整接收链路增益（调整PGC）和调整本振频率两种方案提升外网设备抗阻塞性能。目前已经完成F频段RRU设备参数调整改进后的测试。经测试，将两种方案同时用于RRU，在灵敏度允许下降3dB的情况下可以提升抗阻塞性能10～15dB，前后对比测试结果如表2及表3所示。
从测试结果可以看出，经过软件参数优化调整，在灵敏度下降不超过3dB的情况下，阻塞性能最大可提升15dB，可以满足中移动研究院对于TD现网设备10M过渡带达到-10dBm的阻塞要求。抗干扰改进方案正组织在某省的F频段LTE试验网中进行规模性能测试，预期测试效果将进一步验证设备的抗阻塞干扰性能提升。
