联芯科技研发成功的TD-LTE/TD-SCDMA双模基带芯片将为这一难题带来了解决契机，其TD-LTE和TD-SCDMA双模自动切换特性，填补业界双模芯片领域的空白，同时其易于向三模制式演进，将满足工信部在该方面发展步骤的要求，必将为TD-LTE终端发展的总体进程提速。
据悉，该款芯片采用65纳米工艺，支持TD-SCDMA/TD-LTE双模，TD-SCDMA双频，TD-LTE双频，未来更可向多模扩展，支持下行100兆/秒，上行50兆/秒的数据吞吐率。
年中将推出数据卡
最近，TD-LTE规模试验网前期的入网测试中，只有两家芯片的身影，似乎没有联芯科技。对此，据业内人士透露，实际上，联芯，高通、中兴微电子、STE、以色列Altair公司都正在进行TD-LTE芯片测试，都将陆续进入工信部和中国移动共同组织的TD-LTE规模试验网测试。
据悉，联芯基带芯片LC1760与其战略合作伙伴广晟微电子的TD-LTE/TD-SCDMA 射频芯片RS3012构成完整的TD-LTE/TD-SCDMA双模终端解决方案。基于此，联芯科技将支持终端厂家于今年年中推出数据卡参加TD-LTE规模技术试验。
