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联芯科技LTE方案亮相日内瓦国际电信展
http://www.cww.net.cn 2011年10月25日 15:59 通信世界网
日前,由联合国国际电信联盟(ITU)主办的“2011年世界电信展”于10月24至27日在瑞士日内瓦PALEXPO展览隆重召开。ITU展是全球规格最高、规模最大的信息通信展览会之一,因其权威性、大规模和广泛代表性备受各国政府和全球信息产业界的关注,被喻为ICT领域的奥运会。 大唐电信集团下属全资子公司联芯科技也向国际电信业呈现了自己的发展成果,在此次展会上着力展示了INNOPOWERTM原动力TM系列自研芯片及解决方案产品,覆盖TD-LTE双模终端、TD智能终端、TD功能手机、TD融合终端等多个领域产品,配合丰富的客户终端产品,精彩演绎了其极富差异化、创新性的领先的TD-SCDMA、TD-LTE移动通信终端解决方案,得到了众多国际运营商及终端制造商的关注与询问,很多参观者表示看好TD产业的未来发展。
LTE解决方案“引”热潮 随着TD-LTE规模测试顺利进行,TD-LTE商用化已日益临近。TD-LTE终端成熟与否将会直接影响到TD-LTE网络的用户体验。由于2G、3G、LTE三种制式将在很长一段时间内长期共存,就需要TD-LTE兼容以往的模式,多模是未来TD-LTE终端芯片发展的必然趋势,其发展与中国通信业在未来国际4G市场竞争中能否抢占致胜点密切相关。 在本次世界电信展上,联芯科技展台上最过亮眼的应该就是其DTivyTM L1760 TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案。在今年九月下旬的中国国际通信展上,基于该双模方案的数据卡还曾在中国移动展台上成为展示重点。此次ITU展上面对国内外数十家运营商,再次受到热烈反应。业内人士表示,在TD-LTE多模发展日趋成为必然,市场需求不断明晰的背景下,该款数据卡方案的出现,可谓表现抢眼,其深远意义不言而喻。 联芯科技该款方案基于其自主研发,也是目前业内首款TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片,目前采用65纳米工艺,基于该芯片及方案的数据卡产品正在参加工信部和中移动的LTE规模实验测试,进展非常顺利。明年第二季度发布40纳米LTE芯片,可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换,支持下行150兆/秒,上行50兆/秒的数据吞吐率,其灵活多模自动切换,更能满足国际市场开拓需求,帮助TD-LTE迈入国际,支持企业在LTE的发展初期抓住市场机遇,未来将向28纳米或更高工艺快速演进。 系列智能手机解决方案“启”精彩 随着移动互联网的快速发展,以及无线通信技术的升级,智能终端愈发成为市场的宠儿。因此,在本届ITU展上,各类智能终端产品百花齐放,展出人气始终居高不下。 联芯科技对此早有准备。依靠对市场的长足理解,联芯科技以满足全球不同用户的多样化需求为宗旨,面向高、中、低档智能终端市场分别实行差异化的产品策略。据悉,联芯科技系列产品,芯片已实现业界最低功耗,方案系列力求以最优性价比打动市场。 [1] [2]
编 辑:张翀 联系电话:010-67110006-884
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