日前，全球移动芯片老大高通与中国芯片代工制造商中芯国际宣布合作，后者将利用自己的28纳米制程技术为高通代工制造骁龙（Snapdragon）处理器。对此，外界评论不一。那么为何高通要在此时宣布与中芯国际合作？

众所周知，自从去年国家发改委对高通开展反垄断调查以来，业界纷纷猜测中国政府相关部门是以调查的方式强迫高通与中国本土电子产业合作。去年国家发改委突击搜查了高通北京和上海的办事处。报称，如果高通垄断事实成立，高通面临的罚金可能超过10亿美元。所以此次高通与中芯国际的合作不排除高通借此向中国政府相关部门及产业示好的成份，毕竟，今年以来已经有瑞芯和英特尔、大唐和NXP等的合作，作为在中国市场赚得金盆满满的高通，自然应在合作上有所作为才是。

如果说上述示好只是高通面临可能的反垄断调查的权宜之计的话，与中芯国际彼此利益的获得才是此次合作的真正原因。

其实早在今年年初的MWC上，美国高通公司执行副总裁兼集团总裁DerekAberle就表示，高通己将28纳米手机芯片生产部分转到中芯国际。而这之前，中芯国际已为高通的电源管理、无线及连接IC产品提供不同工艺制程的支持。其实岂止是支持，高通和中芯国际不仅很早就有合作，而且合作关系良好。

例如中芯天津厂代工高通芯片已经很多年，为此，中芯国际还在2007年荣获了高通公司的“混合信号芯片年度代工奖”；2009年荣获了“持续卓越奖”；2011年获得了“10亿颗产品里程碑奖”。可以说，高通与中芯国际的合作是具有深厚基础的，而此次合作意味着两家公司之间的合作将进一步加深。而从合作的内容看，28纳米制程是今年年初中芯国际刚刚投入量产的技术，此时高通的支持，对于中芯国际乃至中国芯片产业意义深远。

首先该合作将会提升中芯国际28纳米制程的成熟度及产能，也使其成为中国本土率先为高通部分最新骁龙处理器提供28纳米多晶硅 (PolySiON) 和28纳米高介电常数金属闸极 (HKMG) 工艺制程产品的半导体代工企业之一；

其次是为今后更深层次的技术合作打下基础。据称，未来中芯国际会将其技术延伸至3DIC以及射频前端(RF front-end)晶圆制造，以支持高通持续扩展Snapdragon系列产品组合，在此过程中，中芯国际的技术实力和制造水平势必会得到不断提升，并有可能让中芯国际增强除高通之外其它客户对于自己的信心并提供类似的服务。

而站在中国芯片产业的角度，尽管中国目前是芯片的消耗大国，但真正在本土制造的芯片量并不大。有研究指出，中国市场所消耗的芯片组件中，只有非常小的一部分是在本地生产，这导致中国芯片消耗量与生产量之间的差距，而且该差距在2015年以后还有不断扩大的趋势。针对于此，如何尽快提升我们芯片代工企业的制造水平，并获得更多、更大的客户的订单是严峻的挑战也是巨大的机会。而高通作为手机芯片出货量最大和业内颇具影响力的厂商，将部分芯片生产交予中国企业，其示范意义不可小视。

鉴于目前智能手机产业的增长动力更多来自于中低端市场，对于高通来说，其在这一市场的主要竞争对手联发科一直与台积电在28纳米和20纳米工艺上展开合作。所以由中芯国家代工芯片可以降低成本，进而使得自己在与联发科的竞争中可以削弱对手相对于自己的成本优势。同样，在平板电脑市场，由于近期试图进入平板电脑芯片市场的英特尔与联芯合作，高通此举也会给英特尔造成压力。

综上所述，此次高通与中芯国际的合作，从商业角度看是双赢的合作，且对于未来中国芯片产业，尤其是供需严重失衡的中国芯片制造业起到积极的示范作用。