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三星将在美国投35亿美元 产50纳米NAND闪存芯片
2007年11月25日 11:32    赛迪网    评论()    
作 者:天虹

  11月25日消息,据外电报道,三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产设施已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。

    NAND闪存是目前两种闪存芯片之一,用于在优盘、存储卡和MP3播放机中提供更大的容量和更快的速度。

 

    这家公司的一位发言人JamesChung称,三星将在位于得克萨斯州奥斯汀的工厂使用先进的50纳米技术用300毫米晶圆制造芯片。

    这条心的生产线最初的产量为每月2万个16GBNAND闪存芯片。到2008年,产量将提高到6万个。

    三星电子还宣布投资22亿美元扩大46英寸和52英寸液晶电视生产线。

 

编 辑:火王
关键字搜索:三星电子  闪存芯片  NAND  纳米  
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