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恒忆推出全新NAND闪存系列 采用41nm制造工艺
2008年12月24日 09:36    通信世界网    评论()    
作 者:仲羽

    通信世界网(CWW)12月24日消息 近日,恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。据了解,该系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8GB的 microSD产品,并全部采用41nm制造工艺。

    目前恒忆将先进的41nm制造工艺的应用到了客户需要的产品解决方案与存储设备中,产品系列包括16Gb到32Gb的单片封装和多片封装的MLC产品;2GB到32GB的eMMCManagedNAND产品,以及2GB到8GB的microSD移动存储卡。据了解,恒忆还推出一款48nmSLC1GbNAND产品,为嵌入式和无线应用客户提供性能更优、更安全、使用寿命更长的存储解决方案。

    目前,对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案,而对于消费者而言新产品将提供更大的存储空间,可为设备提供更大保存相片、视频、音乐以及多媒体应用程序的空间。

    恒忆的32GBeMMC是当前市场上存储容量最高的解决方案,而且完全兼容4.3版的JEDECeMMC标准,可以大幅度简化设备厂商的产品开发设计。据悉,新的32GB嵌入式闪存集成8颗32GbNAND闪存芯片,集成一个专用控制器。额定工作温度范围-25°C到+85 °C,并支持1.7V-1.95V和 2.7V-3.6V双电压电源,可满足无线产品等电池供电的移动设备对电源的要求。据了解,32GB容量的产品样片将于2009年1月上市。

编 辑:张翀
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