从150纳米到40纳米的距离有多远？展讯的答案是“14个月”。
2011年1月19日，展讯正式发布全球首款40纳米TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G，并现场展示了多款基于该芯片的商用手机产品。
需要再次强调的是，这个历时14个月推出的“40纳米”已是商用品。与此形成强烈反差的是展讯“甚至去年量产的产品都是180或者150纳米技术的东西”。
在美国硅谷屡屡上演的创新公司“以小博大”的故事，被原汁原味地移植在了这个中国色彩浓厚的芯片公司上面，样本意义不言而喻。
近乎“疯狂”
按照芯片设计的正常逻辑，工艺升级遵循的节点一般是180纳米（这也是展讯芯片工艺的起点）、150纳米、90纳米、65纳米、55纳米、45纳米……而每个节点按照正常的开发、量产、成熟时间，大致需要2-3年。
回想这场芯片工艺“大跃进”，始作俑者展讯董事长兼首席执行官李力游似乎也有些“不寒而栗”，在通信半导体行业做了20多年，他深知此间凶险，“在工业界，这种跳跃是不合理的，是非常不理智的，甚至是错误的”，“很容易失败，实际上跟自杀差不太多”。
在合作者那里，对李力游的质疑差点演化成一场信任危机。其原因在于，展讯的40纳米研发计划依托于两个项目：2008年的科技部国家支撑项目——TD-HSUPA的开发和2009年中国移动与芯片、终端厂家联合申报的3G手机联合开发项目。而这两个项目当时规定的半导体支撑技术就是65纳米。
因此，在合作伙伴们看来，展讯此举自然是疑点重重。一些项目组专家甚至将此解读为故意拖延国家专项进度，因为“你要做65纳米就没有拖延的理由了”。
其实，如果不做40纳米，对于展讯或者TD-SCDMA（以下简称“TD”）的芯片工艺演进进程来说，2010年也注定是一个“跨越式”发展的年份。在这一年，65纳米正在逐步成为主流的TD芯片工艺技术，而美国芯片厂商Marvell公司的TD单芯片已经采用了55纳米制作工艺。
在全球顶级芯片厂商英特尔、高通、博通那里，目前其主流商用产品都是基于65纳米技术。而高通基于45纳米技术在售的MSM8x60芯片组平台则属于其最新产品，是去年年中才发布上市的。因此，从工艺环节来看，与WCDMA相比，TD芯片也不算“丢份儿”。
不过，与决策阶段的“疯狂”相比，展讯40纳米项目推进速度之快，也让人们感受到了一丝“疯狂”的意味，这从该项目最后的芯片测试阶段即可见一斑——2010年10月完成流片，其后用了1个月的时间完成了工信部电信管理局进网测试，然后再用近1个月的时间，完成了中国移动的入库测试（海信手机），在12月底，又通过了前述项目的专家组验收。之后，李力游再次“冒险”——不做样片直接量产。“我们一次量产相对比较成功，当然这还在于前面每个环节都配合得比较好。”李力游说。
展讯的逻辑
虽然在与WCDMA芯片工艺的横向比较上TD失分不多，但是从TD整体商用的状态看，情况并不乐观。截至去年底，TD用户数虽然升至1883.5万户，但是经过此前两年多的市场培育，TD的口碑提升依然缓慢，用李力游的话来说，“对TD的抱怨已经形成一种固化的思维方式，就是TD手机一定不好用”。
