即将于年底开始的TD-LTE规模试验第二阶段将在终端环节推进TD-LTE多模终端的研发，并于年底开展“双芯片多模多待”的规模测试。为此，多家芯片厂商都在TD-LTE多模产品上制定了更新的研发与市场策略。
随着试验的推进，包括联芯科技在内的多家芯片厂商陆续推出双模或多模芯片参与到试验中。从厂商视角，联芯科技副总裁刘积堂为我们解答了TD-LTE多模芯片的研发与试验关键。
双模单待芯片已开测
《通信世界周刊》：在TD-LTE规模试验中，联芯科技已参与并完成第一阶段测试。据您了解，面向今年底和明年上半年，工信部和中国移动对TD-LTE多模终端提出了哪些具体要求？从厂商角度是如何响应这些需求的？
刘积堂：联芯科技始终认为，2G、3G、LTE三种制式将在很长一段时间内长期共存，这就需要TD-LTE兼容以往的模式，这也是为什么我们从参与TD-LTE工作之初就致力于多模方案的原因。多模终端包括多模单待和多模双待两种方式。目前多模单待和多模双待的MTnet测试都即将展开，之后还将进行规模技术试验。对于双模单待来说，目前主要的要求是支持空闲状态下的跨系统小区重选，目前联芯科技的终端已经能支持此功能。
为了应对2013年左右LTE商用要求，联芯科技还将在明年上半年推出支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GSM的多模芯片，支持包括手持机、数据卡在内的多种终端形态。这款芯片还将支持祖冲之加密算法，该算法也是中国LTE商用必须支持的。
《通信世界周刊》：今年上半年联芯科技重点宣传了TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案，在下半年以及明年上半年，还有哪些TD-LTE产品正在陆续推出？并且是否支持多模需求？
刘积堂：联芯科技LC1760基于其自主研发，也是业内首款TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片，采用65nm工艺。目前，基于该芯片及方案的数据卡产品正在参加工信部MTnet单模和双模测试。我们会拿这个数据卡参加中国移动TD-LTE规模技术实验第二阶段多模测试，这意味着在终端层面，TD-LTE与TD-SCDMA协调发展的技术门槛将被跨越。
多模自动切换成大方向
《通信世界周刊》：据工信部称，单芯片多模方案是TD-LTE芯片整体发展方向，这需要芯片工艺的支持，即采用40nm工艺，支持至少TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。对此联芯科技在产品研发、芯片厂商合作等方面是否也有所准备？
刘积堂：明年第二季度联芯科技将发布40nm LTE芯片，可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换，支持下行150Mbit/s、上行50Mbit/s的数据吞吐率，更能满足国际市场开拓需求，帮助TD-LTE迈入国际，支持终端企业在LTE的发展初期抓住市场机遇。
明年年底我们还将向28nm或者更先进工艺迈进。
《通信世界周刊》：在TD-LTE国际化发展上，联芯科技是如何布局国际市场的？
