程序说明：赋予P4_5为O，使得CE信号成低电平，从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为1，使得CLE信号成高电平，从而使K9F1208的命令允许信号有效;赋予P4_3为O，使得ALE信号成低电平，从而使K9F1208的地址允许信号无效;最后对rK9F1208DATA进行空写命令字，使得WE信号成低电平，K9F1208的命令寄存器从数据总线接收到命令字，并执行相应的操作。
程序说明：赋予P4_5为0，使得CE信号成低电平，从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为O，使得CLE信号成低电平，从而使K9F1208的命令允许信号无效;赋予P4_3为1，使得ALE信号成高电平，从而K9F1208的地址允许信号有效;最后对rK9F1208DATA进行空写地址字，使得WE的信号成低电平，K9F1208从数据总线接收到地址字，并锁存到地址锁存器中。
程序说明：赋予P4_5为0，使得CE信号成低电平，从而片选K9F11208有效;赋予P4_4为O，使得CLE信号成低电平，从而使K9F1208的命令允许信号无效;赋予P4_3为0，使得ALE信号成低电平，从而使。K9F1208的地址允许信号无效;最后对rK9F1208DATA进行空写数据，使得WE的信号成低电平，K9F1208从数据总线接收到数据，并根据命令寄存器和地址锁存器来处理接收到的数据。
程序说明：赋予P4_5为0，使得CE信号成低电平，从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为O，使得CLE信号成低电平，从而K9F1208的命令允许信号无效;赋予P4_3为O，使得ALE信号成低电平，从而使。K9Fl208的地址允许信导无效;最后对rK9F1208DATA进行空读数据，使得RE的信号成低电平，K9F1208会根据命令寄存器和地址锁存器来向数据总线发送相应的数据。
程序说明：只是读取P4_6的状态，以判断K9F1208是否“忙”。如果P4_6为高电平，则表示K9F1208不忙，返回高电平;如果P4_6为低电平，则表示K9Fl208“忙”，返回高电平。
为了台理地操作K9F1208，还添加了不选中K9F1208的函数，以便在页读取和页编程操作后，使K9F1208不工作。程序只是让P4_5、P4_4、P4_3为低电平，从而使得K9F1208的片选信号、命令允许信号、地址允许信号无效。
宏定义语句如下：
#defineflash_inactive(){P4_5=0;P4_4=0;P4_3=0;}
Flash操作API函数包括复位K9F1208、验证K9F1208的ID号、擦除K9F1208某一扇区、读取K9F1208某一扇区数据和写入K9F1208某一扇区数据等函数。因为篇幅关系，只介绍页读取和页编程函数。
图6是读取K9F1208某一扇区或某一页的数据流程图。首先，开始向K9F1208发送页读取命令字Ox00，使得K9F1208的命令寄存器接收到命令字;然后取得要读取扇区的地址，连续向K9F1208发送4个地址数据，发送完后读取K9F1208的R/B引脚的状态，直到K9F1208不忙(表示地址数据已接收完毕);K9F1208开始读取该地址所指的扇区，并向数据总线发送一个扇区的数据，此时读取K9F1208的数据总线，直到整页结束。
图7是写入K9F1208某一扇区或一页的数据流程图。首先向K9F1208发送页编程的命令字Ox80，使得K9F1208的命令寄存器接收到命令字;然后取得要写入扇区的地址，连续向K9F1208发送4个地址数据，发送完后读取K9F1208的R/B引脚的状态，直到K9F1208不忙(表示地址数据已接收完毕);K9F1208准备从数据总线接收一个扇区的数据，此时向K9F1208的数据总线发送一个扇区的数据，让K9F1208接收数据，并存到相应的页或扇区中;待发送的数据结束后，向K9F1208发送Oxl0命令，使得K9F1208结束页编程的操作;最后向K9F1208发送查询状态的命令字Ox70，K9F1208接收到命令字后，就会向数据总线发送一个字节的数据，这时读取K9F1208的数据总线，若收到字节Ox00，则表示操作成功，若收到字节0x01，则表示操作失败。
结语
本文介绍了Samsung公司K9F1208芯片特点，并在此基础上设计了基于uPSD3234A的驱动设计。该方法对其他相关SoC中实现NANDFlash的控制方法设计有直接的参考意义，可广泛应用于需要大存储容量的低端设备中。
