碳纳米管是卷成筒状的单层碳原子。碳纳米管构成了一类晶体管器件的核心，它们可以用类似于目前硅晶体管的方式运行，但性能会更好。它们可以替换当前所使用的芯片中的晶体管，这些芯片使我们的数据运算服务器、高性能计算机以及超快速智能手机得以运转。

碳纳米管晶体管能够在不足10纳米的分子厚度上像精良的开关那样来运行 – 这个厚度相当于人类头发丝的1/10000，小于目前主流硅技术的一半。对电子电路的综合建模表明，相比硅电路，碳纳米管有可能使性能提高大约5-10倍。

石墨烯石墨烯是一种以一层原子厚度形式存在的纯碳。它是非常优良的热和电导体，并且还具有非常高的强度和柔韧性。电子在石墨烯中的移动速度比在常用的半导体材料（例如硅和硅锗材料）中快约10倍。其特性使得有可能制造出比传统半导体器件更快的开关晶体管，尤其适用于手持无线通信业务领域，石墨烯在这些领域将成为比目前使用的材料更有效的开关。

在2013年，IBM展示了世界上第一套用于无线通信的基于石墨烯的集成电路接收机。该电路包括一个2级放大器和一个4.3GHz的降压转换器。

下一代低功耗晶体管除了碳纳米管之类的新材料之外，还需要新的架构和创新的设备理念来提高未来系统的性能。功耗是纳米电子电路的根本挑战。为了理解该挑战，可以设想一个漏水的水龙头，即便非常快地关上阀门，还是会有水往下滴，这跟现在的晶体管的情形非常相似，在晶体管中经常会发生能源“泄露”或者浪费的情况。

对目前极其耗电的硅场效应晶体管的一种潜在替代品是所谓的陡坡设备。它们能以非常低的电压运行，从而消耗明显少的功率。

为了减少电子产品的能耗，IBM的科学家们正在研究隧道场效应晶体管（TFET）。在这种特殊类型的晶体管中，“带-带”隧穿的量子力学效应被用来驱动电流流过晶体管。与互补CMOS晶体管相比，TFET的能耗可以降低100倍，这样一来，把TFET与CMOS技术整合到一起就可以提升低功耗集成电路性能。

就在最近，IBM已经开发出一种新方法，利用砷化铟作为源，利用硅作为通道，用环绕式栅极作为陡坡设备，直接在标准的硅衬底上集成III-V族纳米线和异质结构，制造出有史以来第一次基于硅的砷化铟的隧道二极管和TFET，实现了低功耗的应用。

“下一个十年，硬件系统将会和今天有根本上的不同，我们的科学家和工程师正在推动突破半导体创新的局限，探索后硅时代，半导体技术的未来，”IBM高级副总裁、系统与科技部总经理Tom Rosamilia指出，“IBM的研究和开发团队正在创造的是颠覆式的创新，将会引领下一个计算时代的到来。”

IBM对硅和半导体创新的历史性贡献包括发明和首次实施了：单一单元DRAM，支撑“摩尔定律”的“Dennard标度律”（Dennard scaling laws），化学放大的光刻胶，铜互连布线，绝缘硅，疲劳设计（strained engineering），多核心微处理器，浸没式光刻技术，高速硅锗（SiGe），高k栅介质，嵌入式DRAM，3D芯片堆叠，以及气隙绝缘。

IBM的研究人员还被认为开启了纳米设备时代，因为他们发明了获得诺贝尔奖的扫描隧道显微镜，这推动了纳米和原子尺度的发明和创新。

IBM还将继续资助并与大学的研究人员合作，为半导体行业探索和开发未来技术。特别是，IBM将继续通过公-私合作支持（PPP方式）和资助大学研究，例如，与NanoElectornics研究计划（NRI）、半导体高级研究网（STARnet）以及半导体研究公司的全球研究联合会（GRC）进行合作。