概述
基于ARM Cortex-M0+的Kinetis L系列MCU，将于2012年8月14-15日在飞思卡尔技术论坛中国站上首次展示。作为市场上首款基于新型ARM Cortex-M0+内核的MCU系列，同时也是业界能效最高的MCU，Kinetis L系列反映出当今技术趋势的一个缩影：人们欣喜地看到了传统观念与现代技术的融合。 传统入门级 8位 MCU 的低功耗、低成本和易用性，与先进的32位MCU 的高能效、功能集成及更多软件工具支持相结合。采用Kinetis L系列的诸多应用，如小家电、游戏配件、便携式医疗系统、音频系统和电源控制系统等，现在能够实现更高的性能，提供更多的功能，同时不用增加功耗或系统成本。
ARM Cortex-M0+内核
ARM Cortex-M0+是能效最高的内核，与ARM Cortex-M0内核相比，具有更好的能效、性能和调试功能，同时保证了所有指令集和工具的完全兼容。该产品的新功能包括：2级管道，该管道可减少每指令周期数 (CPI) ，在基准测试中取得1.77 CoreMark/MHz的高分（而Cortex-M0内核仅为1.62CoreMark/MHz），对I/O进行单周期访问，加快对外部事件的反应速度，从而实现位拆裂和软件协议仿真，与8位和16位MCU相比，代码密度更高，可缩小闪存尺寸，降低系统成本，另有Micro Trace Buffer这款轻量级跟踪解决方案提供快速漏洞识别与更正。
高能效
Kinetis L系列基于飞思卡尔屡获殊荣的90纳米薄膜存储器 (TFS) 技术，它通过创新的低功耗 MCU平台、操作模式和节能外设实现出色的能效，对Cortex-M0+内核进一步予以完善。这些功能相互结合，提供良好的运行和休眠电流，使应用能够延长处于深度休眠模式的时间，从而最大限度减少CPU活动并延长电池寿命。
现有10种低功率操作模式可供选择，使得设计人员能够极精确地控制系统功耗。其中包括多个低功耗模式（50uA/MHz 的低功耗运行模式），它们最多可将功耗降低95%，并同时继续保留Cortex-M0+ 的全部处理功能。这些模式还可使MCU能够从省电状态快速唤醒，待处理完数据后迅速返回休眠模式，从而延长应用程序的电池寿命。这些优势都将在飞思卡尔技术论坛上通过Kinetis L系列 能效模块一一进行演示。在飞思卡尔技术论坛中国站的展示中，还会按照CoreMark 基准测试分析将Kinetis L系列的能效的特点与飞思卡尔竞争对手的解决方案进行对比。
Kinetis L系列MCU提供多个低功耗智能外设，即使在MCU处于深度休眠模式时也能维护正常功能，因此可实现少消耗多工作。DMA控制器、计数器、定时器、通信接口、ADC、比较器都能够在不占用CPU 的情况下做出自己的决策。传统的MCU必须激活主时钟和处理器内核才能执行任务，即使是执行琐碎的任务，如发送或接收数据、捕捉或生成波形或模拟信号采样时也是如此。Kinetis L系列外设不需占用内核或主要系统就能执行这些功能，从而大大降低能耗并延长电池寿命。
