沈嘉表示，长远来看，TD-LTE多模终端还是本着单芯片单待的方向分步推进。“实现单芯片单待，芯片在工艺上需要提高，即采用40nm工艺，支持至少TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。目前已有7家芯片将在明年提供单芯片多模终端，其他芯片厂商计划在2012年底或2013年推出相应产品。”
据悉，TD-LTE规模试验即将在今年年底和明年上半年对双芯片多模终端进行规模测试，明年下半年和后年将有望进行单芯片双待、单芯片单待终端的测试。
单芯片成熟度是关键
在这一大趋势下，芯片企业似乎都加快了单芯片多模方案的研发和测试。据沈嘉称，除了40nm工艺，单芯片多模方案还面临一些技术挑战，例如在一个芯片里实现不同网络的灵活切换，就需要支持不同协议间的交互、协调算法问题。单芯片双待方案还需要同时支持一个终端对两个网络信号的同时接收发送，这对能耗指标也提出了挑战。未来的TD-LTE单芯片单待方案，还要克服数据网络和语音网络间的切换等问题，保障呼叫延时最小化和呼叫成功率更高，这都要芯片终端企业以及设备商联手努力解决。
根据工信部TD-LTE工作组的预测，多模数据卡、多模双待手机、多模单待手机将分阶段达到可商用水平。目前基于双芯片的多模数据卡，在年底前有望实现商用水准，基于单芯片的多模数据卡将在明年陆续推出并具备商用能力。
沈嘉表示，TD-LTE多模终端的逐步成熟取决于单芯片技术的成熟度，总体来看，手机的成熟速度滞后于数据卡。
