实测性能
由于使用了完全绝缘的蓝宝石基底，与笨重的CMOS和SOI技术相比，UltraCMOS场效应晶体管(FET)的一个主要优势是可以叠在一起来处理高强度的RF功率。因而，它有能力处理+40dBm以上的功率，而且在处理高强度RF功率的同时不降低Q值或调谐比。
该技术有潜力开发出满足众多应用系统和工作条件要求的DuNE DTC。目前已设计出电容范围为0.5pF到10pF、调谐比为3:1到6:1、分辨率为5位(32级)的DTC(见图6)。这些DTC可在1到2GHz 范围内把Q值设定为40到80 (见图7)。除了在50Ω可处理>+38dBm的功率和开关速度优于5秒之外(见图8)，这些新型DTC的功耗约为100μA(低于一些替代调谐技术的幅度)。
图6：实测结果表明，5位DuNE DTC器件具有良好的线性调谐特性，电容范围为1.15到3.4pF(调谐比为3:1)。 
图7：DuNE DTC器件的品质因数实测结果，在900MHz时其Q值为60-70。 
图8： 当输入功率高达+40dBm时，三次谐波幅度低于-36dBm，满足GSM规范。基于成熟的设计模块和每周数百万出货量的工艺技术，DuNE技术可极大地扩展手机设计人员的选择空间。DTC的所有参数(电容值、调谐比、品质因数、功率处理能力)都可通过电路设计而不是材料工程来改变，从而大大加快了新型专用设计的开发进程。面向蜂窝电话和移动电视应用的DuNE DTC已经在试产阶段，计划在2009-2010年开始量产。这项先进的技术创新可以把完整的自适应天线调谐系统集成到单片中，进而极大地提高了新型手机设计的天线性能。
