通信世界网讯(CWW) 美国高通公司日前宣布，其全资子公司美国高通技术公司与中兴通讯合作，推出全球首款集成CMOS功率放大器（PA）和天线开关的多模多频段芯片，并首先应用在中兴通讯全新旗舰智能手机Grand S II LTE上。
美国高通技术公司QFE2320 和QFE2340芯片的成功商用标志着移动射频前端技术的一个重大进展，两款芯片借助简化的走线和行业尺寸最小的功率放大器和天线开关，在集成电路上实现前所未有的功能。集成天线开关的QFE2320多模多频功率放大器（MMMB PA）和集成收发器模式开关的 QFE2340高频段MMMB PA，以及首款用于3G/4G LTE移动终端的包络追踪（ET）芯片QFE1100，都是Qualcomm® RF360™前端解决方案的关键组件，支持OEM厂商打造用于全球LTE移动网络的单一多模设计。QFE2320和QFE2340的组合能够覆盖所有主要的蜂窝模式，包括LTE TDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA 1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE，以及从700MHz到2700MHz的相关射频频段。QFE1100目前已经在全球很多商用智能手机中采用，也将应用于中兴Grand S II LTE。
美国高通技术公司产品管理副总裁Alex Katouzian 表示：“我们的集成功率放大器和天线开关以及高频段功率放大器在中兴Grand S II LTE手机上得到采用，是RF360前端解决方案实施过程中一个令人兴奋的进展。消费者和OEM厂商都将从这些创新的射频解决方案中受益，它们实现了更小的尺寸和更高的能效，并支持全球漫游的LTE终端。”
中兴通讯对外合作副总裁兼全球高端技术团队负责人王众博士表示：“美国高通技术公司的射频芯片组具有卓越的性能和效率，让我们能够设计功耗更低且外形更时尚的终端，并能够连接到全球最快的网络上。我们很高兴在Grand S II LTE上采用美国高通技术公司最新RF360前端解决方案中的两款产品，以及高通骁龙™ 800处理器和WTR1625收发器，实现同级最佳的LTE连接和卓越用户体验。”
QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工艺，能够将各组件更紧密地集成在单一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天线开关，能够简化走线，减少前端中的射频组件数量，满足更小的印刷电路板（PCB）面积要求——所有这些都支持OEM厂商能够以更低的成本打造尺寸更小的终端设计，支持连接到全球主要2G、3G和4G LTE网络所需的广泛射频频段。QFE2340高频段 MMMB PA集成收发器模式开关，提供全球首款商用LTE晶片级纳米规模封装（WL NSP）MMMB PA，首次向移动行业引入创新的LTE TDD 射频前端架构。
QFE2320和QFE2340目前正向OEM厂商出货，预计今年将在全球更多领先的智能手机上应用。Qualcomm RF360解决方案中还包括首款用于3G/4G LTE终端的包络追踪芯片QFE1100和可配置天线匹配调谐芯片QFE1510，这两款芯片已经在 2013年实现商用。
|
