10月20日消息，据国外媒体报道，根据调研机构IHSiSuppli，今年应用在智能手机上的DRAM芯片出货量将有惊人的三位数增长，超过整体DRAM市场的增长幅度。
以1GB等量单位估算，用在智能手机的DRAM出货量今年预计上升至17亿个单位，较去年6.72亿个单位增长157.2%。到2015年之前，出货量将上升至139亿个单位，较今年增长700%。
IHS存储芯片需求预测部门的分析师CliffordLeimbach表示：“智能手机内使用的DRAM正快速上升，主要是因为这些是高存储密度的芯片，且设备销售量也不断上升所致。”
今年DRAM在智能手机的增长惊人，与此相较，整体DRAM市场(主要为对PC业务的销售量)的出货量增长仅50%就失色许多。这两者的增长差距解释了DRAM厂商积极竞争手机DRAM市场的原因。虽然DRAM芯片也用于平板电脑和电脑等设备，但智能手机的DRAM市场仍会持续增长。
整体DRAM使用量中，今年智能手机的使用率将从去年的4.4%上升至7.6%，明年提高至10.6%，2013年达13.4%，2014年达14.9%，下一年达16.0%。
至少近来发行的四款智能手机，通过IHSiSuppli拆解内部后，发现这些设备都搭载更大量的DRAM芯片。
索尼爱立信的XperiaPLAY搭载512MB的DRAM芯片，而三星电子的GalaxyIndulge搭载576MB的DRAM芯片，苹果iPhone4的DRAM芯片达544MB，宏达电的Thunderbolt手机则配备最高等级768MB的DRAM芯片。
这四款智能手机的存储体配置均使用离散DRAM芯片，以及含NAND快闪存储芯片的标准方式。其他设备的存储体配置方式包括使用多芯片封装(MCP)，将DRAM和NAND等不同的存储体整合成单一芯片等。
这些手机厂在优化表现性能时，仍积极维持整体成本持平。因此这四款手机的材料费用表(BOM)中，存储体费用比例平均在15.7%，唯一超过这比例的只有iPhone，iPhone的存储体成本占整体BOM表高达22.1%。
但即使手机厂努力缩限存储体成本，但智能手机的DRAM平均密度仍会逐渐提升，预期明年智能手机DRAM平均密度就会提高至715MB，较今年461MB的水准提高55%，且短期看来，增长强劲。
