相变存储技术看来终于要走出实验室，走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后，三星电子今天也宣布，推出全球首款多芯片封装（MCP）PRAM相变存储颗粒产品。
相变存储属于非易失性存储技术，可以像闪存那样在关机后继续保持数据。三星就表示，这款512Mbit容量MCP封装PRAM颗粒在软硬件功能上都和40nm级NOR闪存颗粒完全兼容，方便客户厂商在产品中加入该存储颗粒。由于相变存储技术的高写入速度特性，采用PRAM可有效提升数码设备的存储速度。
三星表示，多芯片封装PRAM颗粒将于本季度晚些时候开始批量出货，主要供应给手机厂商。三星预测，到2011年PRAM相变存储技术将被广泛应用，在消费电子领域中替代NOR型闪存。
