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TD-LTE受限基带芯片 终端一致性测试即将展开
http://www.cww.net.cn 2010年11月15日 07:33 通信世界周刊
作 者:鲁义轩
王志勤在接受本刊记者采访时还提到,在终端一致性测试上,国外与国内测试仪表厂商的创新和参与力度也非常积极,除了国际测试巨头凭借实力继续在仪表和技术方面提供主力支持,一致性测试也给国内专业性的测试企业提供了机会,但整体实力上国内测试企业还没有真正强大的,专业性厂商可以在终端一致性测试等环节上挖掘机会。 记者观察: LTE终端的成熟取决于集成电路技术与工艺 针对LTE的数据业务,TD-LTE数据卡至少需要65nm工艺的支持才能满足市场需要,65nm工艺也是今年TD-LTE技术试验中的重点内容。 在2011年的规模试验中,65/45nm工艺以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模终端有望参与测试;手机测试样机也将参与规模试验,包括双待终端、单待终端。 而到2012-2013年的试商用/商用阶段,28nm工艺有望得到测试和应用,将极大提高TD-LTE终端的成熟和性价比,多模手机也将成为主流。(中国移动研究院院长 黄晓庆) [1] [2]
编 辑:高娟 联系电话:010-67110006-853
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