通信世界网（CWW）11月2日消息 在今天举行的2011第五届移动互联网国际研讨会上，工信部电信研究院沈嘉博士介绍了目前我国TD-LTE试验进展与后续安排，在谈及终端芯片测试时，他表示，目前海思与创毅视讯两家芯片厂商完成了与10家TD-LTE设备商室内与室外UuIOT测试，而高通也完成了与六大设备商互操作测试。
TD-LTE终端芯片“紧追不舍”
TD-LTE作为TD-SCDMA后续标准从诞生之日起即受到业界广泛关注，工信部电信研究院从2009年起即开始做规模试验以及概念验证工作，其目的主要是验证TD-LTE基本原理和算法。然而任何一项通信标准从诞生到发展，网络设备势必先行，而终端一致性测试则是验证移动通信技术真正成熟的标志。
沈嘉介绍到，由于通信技术成熟之前，终端环节很难批量部署，不过TD-LTE从一开始就非常重视终端芯片环节开发，包括从标准化到测试代码开发以及仪表开发均有终端厂商参与，尽量拉近终端与系统侧的差距。
目前，TD-LTE终端虽然与FDD LTE相比尚存在一定差距，但目前已有TD-LTE多模终端样机展示，在近日举行的2011年世界通信展，中国移动展示了全球首款TD-LTE+TD-SCDMA/GSM多模双待单卡智能手机，同时亮相了首款TD-LTE无线猫，标志着TD-LTE智能终端产业正迈向成熟。
两种TD-LTE多模方案并行
由于未来TD-LTE网络系统不可能孤立发展，而是和2G/3G联合发展，因此对于终端芯片而言，多模方案的发展是必然趋势。沈嘉表示，目前工信部要求TD-LTE多模终端必须支持TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模，同时鼓励支持LTE FDD制式，不过可以选择单芯片或双芯片模式，不过两种方案均有利弊。
由于终端需要多模制式，但多模单芯片相对比较复杂，因此目前大多终端厂商研发双芯片多模方案。沈嘉介绍称，双芯片多模方案是终端内采用一块TD-LTE芯片，同时有一块TD-SCDMA/GSM双模商用芯片组成双芯片多模终端，这种方式可较快进行研发，目前已有四家终端厂商计划在今年四季度提供多模数据卡或双待手机。
不过沈嘉也指出，由于双芯片双待模式功耗要求很大，因此从多模终端发展来看，单芯片多模方案最终是演进方向。目前芯片工艺发展将采用40nm，至少支持TD-LTE/TD-S/GSM三模，据了解，目前已有7家芯片长苏昂宣布将在明年提供样片，计划在2012年底或2013年商用。沈嘉表示，工信部希望在今年年底实现双芯片规模测试，到明年进行单芯片测试。
